杨正

    1956年兰州大学物理系毕业后留校工作，曾多次赴美国、日本、新加坡、加拿大及俄罗斯等国访问，讲学及合格研究。现任兰州大 学磁性材料研究所所长，教授，博士生导师。曾任国务院学位委员会物理学科评议组成员（1986-1996），国家教委科学技术委员会第一、二届委员及国家重大科技发明奖评委会特邀评审员等。
    长期从事磁学及磁性材料方面的教学及研究工作。曾研究过MnBi合金，宽温记忆磁心，高性能软磁铁氧体。近年来主要研究超高密度磁记录用的磁性材料：记录介质用的高Hc磁性薄膜（BaM, SrM, NdFeB, Fe-Pt）；写入磁头用的Bs软性薄膜（FeNi, FeCoNi, FeCo)。先后有十余项科研成果通过有关部门组织技术鉴定，获省、部级科技进步奖六项，发表论文150余篇，出版有“磁记录物理”。被评为有突出贡献的中青年专家（国家人事部，1986年），全国优秀教师（国家教委1991年）及甘肃省优委专家（1995年）。
    杨正教授一直从事磁学和磁性材料方面的教学、科学研究及新材料和新产品的开发和应用工作；培养了一批从事磁性材料研究和生产的专业技术人才；承担了多项部级、国家级任务和国家攻关项目，多次赴美国、日本、新加坡、加拿大、韩国及俄罗斯等国有访问、讲学及合作研究。