一种钕含量低硬磁性能高的磁性薄膜研制成功

由日本国家材料科学研究院Kazuhire Hono博士领衔的课题组合成了一种新型磁性化合物，其钕含量比目前流行的钕铁硼低。

    这种新型磁性化合物化学式为NdFe12N,钕含量17%，而钕铁硼的钕含量为27%，但前者的内禀硬磁性能高于后者。

    尤其值得注意的是，这种新型磁性化合物的居里温度比钕铁硼高200度。

    在以往稀土磁体研究中曾出现过化学式为NdFe11TiN的磁性化合物，钛虽然是非磁性的，但加入钛才能使该化合物保持稳定，但正因为含钛，该化合物的磁性不如钕铁硼，因而没有受到多大关注。由于该化合物不加钛不稳定，以前的研究工作均未成功。而本研究在不加钛的情况下成功制备出了这种化合物。

    NdFe12Nx为ThMn12结构，合成步骤为：先在MgO(001)基质上沉积一层钨，再在其上生长NdFe12薄膜,然后对NdFe12薄膜进行氮化。其内禀硬磁性能:μOMs约为1.66 T, μOHa为8T, Tc为550摄氏度，全部超钕铁硼。

    NdFe12薄膜是用溅射法制备的，其厚度可达350纳米。

    该课题组下一步的方向是确立制备大量磁粉及块状磁体的技术路线。